CYT2306
双N沟道增强型功率场效应管
产品描述
- CYT2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术
- 高密度的工艺特别适用于减小导通电阻
- CYT2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路
产品特性
- 20V/5A
- RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
- 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
- 贴片封装：SOP8
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产品名称 |
通道 |
VDS(Max) |
VGS |
ID电流 |
导通电阻 |
封装形式 |
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CYT2306 |
NMOS |
20V |
10V |
5A |
23mΩ |
SOP8 |
MOSFET技术支持
直线:0755-86169530
QQ:
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